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            專家信息 科學(xué)研究 論文專著 榮譽獎勵

            專家信息:

            張國義,1950年出生,博士,現(xiàn)任北京大學(xué)教授,博士生導(dǎo)師,北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)合研究中心主任,中國物理學(xué)會發(fā)光專業(yè)委員會常務(wù)委員,中國電子學(xué)會信息光電子分會理事,中國物理學(xué)會半導(dǎo)體專業(yè)委員會委員,《半導(dǎo)體學(xué)報》、《發(fā)光學(xué)報》、《液品和顯示》編委。

            學(xué)術(shù)交流:

            作為會議主席,在1998年和2001年兩次在中國主持召開了國際III-V氮化物半導(dǎo)體專題研討會,多次作為(氮化物半導(dǎo)體相關(guān)的)重大國際會議委員會委員,參加國際學(xué)術(shù)交流。先后在美國,日本,澳大利亞,比利時開展合作研究!熬盼濉逼陂g,作為國家“863”計劃信息光電子主題專家組成員,“十五”期間,作為國家半導(dǎo)體照明工程專家組成員,中國LED行業(yè)協(xié)會顧問專家,國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事,努力為我國的LED照明光源的革命做出貢獻(xiàn)。

            科學(xué)研究:

            長期從事半導(dǎo)體物理與器件物理,半導(dǎo)體光電子學(xué),MOCVD生長技術(shù)的研究。

            先后在美國堪薩斯州立大學(xué)、日本千葉大學(xué)、澳大利亞新南威爾士大學(xué)、比利時魯漢大學(xué)開展合作研究。1990年在北京大學(xué)建立MOCVD實驗室,1993年率先在國內(nèi)開展氧化物半導(dǎo)體材料和器件的研究,一直從事氧化物寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件和的理研究,以后逐漸發(fā)展成為氧化物半導(dǎo)體研究組,北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究中心,北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)合研究中心,并擔(dān)任中心主任至今。

            論文專著:

            申請國家發(fā)明專利20多項,發(fā)表論文100多篇。

            1. Ⅲ—Ⅴ氮化物與藍(lán)光LEDs(Ⅰ) 張國義 劉弘度 王舒民 應(yīng)用基礎(chǔ)與工程科學(xué)學(xué)報 1995年 第01期

            2. Ⅲ—Ⅴ氮化物與藍(lán)光LEDs(Ⅱ) 張國義 劉弘度 王舒民 應(yīng)用基礎(chǔ)與工程科學(xué)學(xué)報 1995年 第04期

            3. 在藍(lán)寶石襯底上低壓MOVPE生長GaN單晶 黨小忠 張國義 童玉珍 王舒民 半導(dǎo)體光電 1996年 第01期

            4. LP-MOCVD生長InGaN單晶薄膜 童玉珍 張國義 徐自亮 黨小忠 楊志堅 金泗軒 半導(dǎo)體光電 1996年 第02期

            5. 低壓MOVPE外延生長GaN膜的光致發(fā)光激發(fā)譜研究 段家 張伯蕊 秦國剛 張國義 童玉珍 金泗軒 ... 半導(dǎo)體學(xué)報 1996年 第08期

            6. MOCVD生長GaN的喇曼散射譜 童玉珍 張國義 徐自亮 黨小忠 王晶晶 金泗軒 ... 紅外與毫米波學(xué)報 1996年 第01期

            7. 低壓MOCVD生長GaN p-n結(jié)藍(lán)光LED 張國義 楊志堅 金泗軒 黨小忠 物理 1997年 第06期

            8. 氮化物半導(dǎo)體GaN的光輔助濕法腐蝕 章蓓 黃其煜 周大勇 戴倫 張國義 半導(dǎo)體學(xué)報 1998年 第09期

            9. GaN藍(lán)光二極管雜質(zhì)發(fā)光的近場光譜研究 凌勇 周赫田 朱星 黃貴松 黨小忠 張國義 ... 半導(dǎo)體學(xué)報 1999年 第04期

            10. 用MOCVD在ZnO/Al_2O_3襯底上生長GaN及其特性 毛祥軍 楊志堅 李景 屈建勤 張國義 半導(dǎo)體學(xué)報 1999年 第08期

            11. 利用近場光譜研究GaN藍(lán)光二極管的雜質(zhì)發(fā)光 凌勇 周赫田 朱星 黃貴松 黨小忠 張國義 ... 電子顯微學(xué)報 1999年 第01期

            12. GaN光學(xué)微盤的顯微熒光圖像探討 王國忠 章蓓 錢怡 張國義 胡曉東 發(fā)光學(xué)報 1999年 第01期

            13. GaN薄膜的微區(qū)Raman散射光譜 童玉珍 張國義 MingS.Liu L.A.Bursill 半導(dǎo)體學(xué)報 2000年 第06期

            14. InGaN混溶隙的計算 童玉珍 陳英勇 張國義 半導(dǎo)體學(xué)報 2000年 第07期

            15. GaN發(fā)光二極管的負(fù)電容現(xiàn)象 沈君 王存達(dá) 楊志堅 秦志新 童玉珍 張國義 ... 發(fā)光學(xué)報 2000年 第04期

            16. 藍(lán)光LED InGaN有源區(qū)的制備及其發(fā)光特性研究 童玉珍 李非 楊志堅 金泗軒 丁曉民 張國義 ... 光電子.激光 2000年 第02期

            17. 金屬有機(jī)化合物氣相外延生長GaN薄膜的電子微結(jié)構(gòu)研究 程立森 張澤 楊志堅 童玉珍 張國義 物理 2000年 第01期

            18. 高濃度Mg摻雜GaN的電學(xué)和退火特性研究 童玉珍 李非 楊志堅 張國義 半導(dǎo)體光電 2001年 第02期

            19. 應(yīng)用Mg離子注入獲得高表面空穴載流子濃度P-型GaN(英文) 龍濤 楊志堅 張國義 北京大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版) 2001年 第05期

            20. 高N_2氣流下在GaAs(001)上用MBE法生長InN(英文) 秦志新 陳志忠 張國義 發(fā)光學(xué)報 2001年 第03期

            21. 用Mg離子注入提高p型GaN的空穴濃度(英文) 楊志堅 龍濤 張國義 發(fā)光學(xué)報 2001年 第S1期

            22. InN分凝的InGaN薄膜的光致發(fā)光與吸收譜(英文) 陳志忠 秦志新 楊志堅 童玉珍 丁曉民 張國義 ... 發(fā)光學(xué)報 2001年 第S1期

            23. MOCVD生長的InGaN薄膜中InN分凝的研究(英文) 秦志新 陳志忠 童玉珍 陸曙 張國義 發(fā)光學(xué)報 2001年 第S1期

            24. X射線分析氫化物汽相外延法生長GaN薄膜(英文) 周勁 楊志堅 唐英杰 張國義 發(fā)光學(xué)報 2001年 第S1期

            25. GaN基白光LED的研制與特性(英文) 唐英杰 王宇方 楊志堅 張國義 發(fā)光學(xué)報 2001年 第S1期

            26. 采用N_2-RF等離子體氮化GaAs(001)(英文) 秦志新 陳志忠 周建輝 張國義 發(fā)光學(xué)報 2002年 第02期

            27. 氮化藍(lán)寶石襯底上GaN薄膜的微結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì) 陳志忠 秦志新 沈波 朱建民 鄭有炓 張國義 ... 發(fā)光學(xué)報 2002年 第02期

            28. In_(0.5)(Ga_(1-x)Al_x)_(0.5)P合金的摻雜生長特性 李忠輝 丁曉民 于彤軍 楊志堅 胡曉東 張國義 ... 發(fā)光學(xué)報 2002年 第05期

            29. 高亮度InGaN基白光LED特性研究 李忠輝 丁曉民 楊志堅 于彤軍 張國義 紅外與毫米波學(xué)報 2002年 第05期

            30. 一種精確檢測半導(dǎo)體二極管正向電特性的新方法 王存達(dá) 曾志斌 張國義 沈君 朱傳云 半導(dǎo)體學(xué)報 2003年 第12期

            31. TiAl_3和Ti/TiAl_3非合金化電極n型GaN歐姆接觸的實現(xiàn) 明帆 林紅斌 胡成余 秦志新 陳志忠 張國義 ... 發(fā)光學(xué)報 2005年 第03期

            32. 白光LED的加速老化特性 林亮 陳志忠 陳挺 童玉珍 秦志新 張國義 發(fā)光學(xué)報 2005年 第05期

            33. GaN基外延膜的激光剝離和InGaNLD外延膜的解理 黎子蘭 胡曉東 章蓓 陳科 聶瑞娟 張國義 ... 激光技術(shù) 2004年 第01期

            34. AlGaN/GaN/InGaN對稱分別限制多量子阱激光器的優(yōu)化設(shè)計(英文) 陸敏 方慧智 張國義 半導(dǎo)體學(xué)報 2004年 第05期

            35. InGaN/GaN多量子阱熱退火的拉曼光譜和熒光光譜 呂國偉 唐英杰 李衛(wèi)華 黎子蘭 張國義 杜為民 ... 光譜學(xué)與光譜分析 2005年 第01期

            36. 高反射率p-GaN歐姆接觸電極 康香寧 章蓓 胡成余 王琦 陳志忠 張國義 ... 發(fā)光學(xué)報 2006年 第01期

            37. Al組分對Al_xGa_(1-x)N/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中二維電子氣輸運性質(zhì)的影響(英文) 唐寧 沈波 王茂俊 楊志堅 徐科 張國義 ... 半導(dǎo)體學(xué)報 2006年 第02期

            38. 極化電場對Al_xGa_(1-x)N/GaN雙量子阱中子帶間躍遷的光學(xué)性質(zhì)的影響(英文) 雷雙英 沈波 許福軍 楊志堅 徐柯 張國義 ... 半導(dǎo)體學(xué)報 2006年 第03期

            39. GaN基紫光LED的可靠性研究 商樹萍 于彤軍 陳志忠 張國義 材料研究學(xué)報 2006年 第02期

            40. GaN基白光LED的結(jié)溫測量 陳挺 陳志忠 林亮 童玉珍 秦志新 張國義 ... 發(fā)光學(xué)報 2006年 第03期

            41. GaN基LED電流擴(kuò)展的有限元模型及電極結(jié)構(gòu)優(yōu)化 潘華璞 黃利偉 李睿 林亮 陳志忠 張國義 ... 發(fā)光學(xué)報 2007年 第01期

            42. 高亮度白光LED用外延片的新進(jìn)展 張國義 陸敏 陳志忠 物理 2007年 第05期

            43. 從不純樣品的光譜中提取單一組分和結(jié)構(gòu)的拉曼譜 高敏 劉偉 楊軍濤 張樹霖 郭輝 張國義 ... 光譜學(xué)與光譜分析 2007年 第05期

            44. 用盧瑟福背散射/溝道技術(shù)及高分辨X射線衍射技術(shù)分析不同Al和In含量的AlInGaN薄膜的應(yīng)變 王歡 姚淑德 潘堯波 張國義 物理學(xué)報 2007年 第06期

            45. GaN基大功率倒裝焊藍(lán)光LED的I-V特性研究 林亮 陳志忠 童玉珍 于彤軍 秦志新 張國義 ... 半導(dǎo)體光電 2007年 第06期

            46. 307~325nm波長AlGaN基紫外光探測器 岑龍斌 桑立雯 周緒榮 秦志新 張國義 半導(dǎo)體光電 2007年 第06期

            47. Al_xGa_(1-x)N/GaN雙量子阱的結(jié)構(gòu)和摻雜濃度對子帶間躍遷波長和吸收系數(shù)的影響 雷雙瑛 沈波 張國義 物理學(xué)報 2008年 第04期

            48. 銦對GaN基激光器晶體質(zhì)量的影響 廖輝 楊志堅 張國義 胡曉東 半導(dǎo)體光電 2008年 第03期

            49. GaMnN材料紅外光譜中洛倫茲振子模型的遺傳算法研究 程興華 唐龍谷 陳志濤 龔敏 于彤軍 張國義 ... 物理學(xué)報 2008年 第09期

            50. 圓錐反光面與拋物面反光面組成的邊發(fā)射型LED及其在LCD背光源中的應(yīng)用 易業(yè)文 陳志忠 于彤軍 秦志新 何仲愷 張國義 ... 液晶與顯示 2008年 第04期

            51. InGaN藍(lán)光與CdTe納米晶基白光LED 易覺民 李紅博 唐芳瓊 宋振陽 楊志堅 張國義 ... 發(fā)光學(xué)報 2008年 第06期

            榮譽獎勵:

            先后獲國家發(fā)明四等獎。

            國家教委科技進(jìn)步二等獎。

            香港國際發(fā)明博覽會銀獎。

            國家半導(dǎo)體照明工程技術(shù)創(chuàng)新大賽創(chuàng)新獎和工程應(yīng)用創(chuàng)新獎等。

            2001年獲國家科技部和中國人民解放軍總裝備“863”計劃先進(jìn)集體和個人獎。

            文章錄入:zgkjcx    責(zé)任編輯:zgkjcx 
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